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MRF19030LR5

MRF19030LR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF19030LR5
PNEDA Teilenummer MRF19030LR5
Beschreibung FET RF 65V 1.96GHZ NI-400
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.704
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MRF19030LR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF19030LR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF19030LR5, MRF19030LR5 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 444,25 KB)
PDFMRF19030LSR5 Datenblatt Cover
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MRF19030LR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.96GHz
Gewinn13dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest300mA
Leistung - Leistung30W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-400
LieferantengerätepaketNI-400

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Gewinn

14dB

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28V

Nennstrom (Ampere)

14A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440193

Lieferantengerätepaket

440193

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

56W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

29W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

390W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

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