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MRF101BN

MRF101BN

Nur als Referenz

Teilenummer MRF101BN
PNEDA Teilenummer MRF101BN
Beschreibung RF TRANSISTOR 100W TO-220
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.980
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF101BN Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF101BN
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF101BN, MRF101BN Datenblatt (Total Pages: 41, Größe: 836,13 KB)
PDFMRF101AN-27MHZ Datenblatt Cover
MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 2 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 3 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 4 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 5 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 6 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 7 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 8 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 9 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 10 MRF101AN-27MHZ Datenblatt Seite 11

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MRF101BN Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.8MHz ~ 250MHz
Gewinn21.1dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung115W
Spannung - Nennspannung133V
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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RFMD

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PTFA190451EV4XWSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

11W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

PTFB093608SVV2R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NE350184C

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

20GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

70mA

Rauschzahl

0.7dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

Micro-X ceramic (84C)

Lieferantengerätepaket

84C

ATF-531P8-BLK

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

300mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

24.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

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