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MPSW92

MPSW92

Nur als Referenz

Teilenummer MPSW92
PNEDA Teilenummer MPSW92
Beschreibung TRANS PNP 300V 0.5A TO92
Hersteller ON Semiconductor
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MPSW92 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPSW92
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MPSW92, MPSW92 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 98,77 KB)
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MPSW92 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 30mA, 10V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang50MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Long Body
LieferantengerätepaketTO-92 (TO-226)

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

400 @ 2mA, 10V

Leistung - max

100mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F2

FPN560A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

75MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-226

PZTA42E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

70MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

BDP954E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

MMBT6521LT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 2mA, 10V

Leistung - max

225mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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