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MMRF1020-04NR3

MMRF1020-04NR3

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1020-04NR3
PNEDA Teilenummer MMRF1020-04NR3
Beschreibung FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.888
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MMRF1020-04NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1020-04NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1020-04NR3, MMRF1020-04NR3 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 499,98 KB)
PDFMMRF1020-04GNR3 Datenblatt Cover
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MMRF1020-04NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz920MHz
Gewinn19.5dB
Spannungstest48V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest860mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung105V
Paket / FallOM780-4
LieferantengerätepaketOM780-4

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-

Transistortyp

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

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Serie

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Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

N-Channel GaAs HJ-FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

0.35dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

165mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

S02

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4L2L

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4L2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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