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MMPQ2222A

MMPQ2222A

Nur als Referenz

Teilenummer MMPQ2222A
PNEDA Teilenummer MMPQ2222A
Beschreibung TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 193.038
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MMPQ2222A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMPQ2222A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
MMPQ2222A, MMPQ2222A Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 656,44 KB)
PDFFMB2222A Datenblatt Cover
FMB2222A Datenblatt Seite 2 FMB2222A Datenblatt Seite 3 FMB2222A Datenblatt Seite 4 FMB2222A Datenblatt Seite 5 FMB2222A Datenblatt Seite 6 FMB2222A Datenblatt Seite 7 FMB2222A Datenblatt Seite 8 FMB2222A Datenblatt Seite 9 FMB2222A Datenblatt Seite 10 FMB2222A Datenblatt Seite 11

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MMPQ2222A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp4 NPN (Quad)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang300MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

36V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 1mA, 36V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

XP0650100L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 3V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

450MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

2N2639

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10µA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

MPQ3725A

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

4 NPN (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

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