MMBT200
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| Teilenummer | MMBT200 |
| PNEDA Teilenummer | MMBT200 |
| Beschreibung | TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 105.276 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBT200 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBT200 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MMBT200 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 200mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 5V |
| Leistung - max | 350mW |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 430mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang 360MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket TP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/441 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 125mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 250mA, 1V Leistung - max 25W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket TO-66 (TO-213AA) |
