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MMBD4448HSDW-7-F

MMBD4448HSDW-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer MMBD4448HSDW-7-F
PNEDA Teilenummer MMBD4448HSDW-7-F
Beschreibung DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis
1 ---------- $10,1642
100 ---------- $9,6878
250 ---------- $9,2113
500 ---------- $8,7349
750 ---------- $8,3378
1.000 ---------- $7,9408
Auf Lager 2
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MMBD4448HSDW-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBD4448HSDW-7-F
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MMBD4448HSDW-7-F, MMBD4448HSDW-7-F Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 110,22 KB)
PDFMMBD4448HTW-7 Datenblatt Cover
MMBD4448HTW-7 Datenblatt Seite 2 MMBD4448HTW-7 Datenblatt Seite 3 MMBD4448HTW-7 Datenblatt Seite 4

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MMBD4448HSDW-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Diodenkonfiguration2 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 70V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

320A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

82.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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BAS40-07,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

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Hersteller

Infineon Technologies

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Diodenkonfiguration

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

210µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Montagetyp

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