MJW18020G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MJW18020G |
| PNEDA Teilenummer | MJW18020G |
| Beschreibung | TRANS NPN 450V 30A TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 15 - Jan 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJW18020G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJW18020G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJW18020G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 450V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 4A, 20A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 14 @ 3A, 5V |
| Leistung - max | 250W |
| Frequenz - Übergang | 13MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket VESM |
