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2N5551TFR

2N5551TFR

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5551TFR
PNEDA Teilenummer 2N5551TFR
Beschreibung TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 85.470
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N5551TFR Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5551TFR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2N5551TFR, 2N5551TFR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 407,25 KB)
PDF2N5551BU Datenblatt Cover
2N5551BU Datenblatt Seite 2 2N5551BU Datenblatt Seite 3 2N5551BU Datenblatt Seite 4 2N5551BU Datenblatt Seite 5 2N5551BU Datenblatt Seite 6 2N5551BU Datenblatt Seite 7 2N5551BU Datenblatt Seite 8 2N5551BU Datenblatt Seite 9 2N5551BU Datenblatt Seite 10 2N5551BU Datenblatt Seite 11

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2N5551TFR Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)160V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 1V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

400MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

TIPL761A-S

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 800mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 5V

Leistung - max

100W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

SOT-93

BC850BE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

STX13005G-AP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 750mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V

Leistung - max

2.8W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92AP

SMMBTA56LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

225mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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