MJE703G
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| Teilenummer | MJE703G |
| PNEDA Teilenummer | MJE703G |
| Beschreibung | TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.696 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJE703G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJE703G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJE703G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 40mA, 2A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 750 @ 2A, 3V |
| Leistung - max | 40W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-225AA, TO-126-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-225AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 5V Leistung - max 535mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V Leistung - max 330mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V Leistung - max 450mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket X2-DFN1006-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100µA, 5V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/498 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 5V @ 2A, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 5V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket TO-204AA (TO-3) |
