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MJD117T4

MJD117T4

Nur als Referenz

Teilenummer MJD117T4
PNEDA Teilenummer MJD117T4
Beschreibung TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 36.198
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MJD117T4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJD117T4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJD117T4, MJD117T4 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 379,29 KB)
PDFMJD112T4 Datenblatt Cover
MJD112T4 Datenblatt Seite 2 MJD112T4 Datenblatt Seite 3 MJD112T4 Datenblatt Seite 4 MJD112T4 Datenblatt Seite 5 MJD112T4 Datenblatt Seite 6 MJD112T4 Datenblatt Seite 7 MJD112T4 Datenblatt Seite 8 MJD112T4 Datenblatt Seite 9 MJD112T4 Datenblatt Seite 10

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MJD117T4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypPNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)100V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Leistung - max20W
Frequenz - Übergang25MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

BC237BG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

TBC857B,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 100mA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

30nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 5V

Leistung - max

320mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BD37925STU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 150mA, 2V

Leistung - max

25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

CZT2222A BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

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