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MIXA80R1200VA

MIXA80R1200VA

Nur als Referenz

Teilenummer MIXA80R1200VA
PNEDA Teilenummer MIXA80R1200VA
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 84A
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.294
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MIXA80R1200VA Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIXA80R1200VA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIXA80R1200VA, MIXA80R1200VA Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 310,51 KB)
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MIXA80R1200VA Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Leistung - max390W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 77A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallV1A-PAK
LieferantengerätepaketV1A-PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS50R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 2

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM100DY-28H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT60GF120JRDQ3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

149A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.08nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FZ3600R17HE4HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7200A

Leistung - max

21000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 3600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

295nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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