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FD200R12PT4B6BOSA1

FD200R12PT4B6BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FD200R12PT4B6BOSA1
PNEDA Teilenummer FD200R12PT4B6BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.812
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FD200R12PT4B6BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFD200R12PT4B6BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FD200R12PT4B6BOSA1, FD200R12PT4B6BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 828,67 KB)
PDFFD200R12PT4B6BOSA1 Datenblatt Cover
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FD200R12PT4B6BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)300A
Leistung - max1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce12.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

FF300R17ME4PBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP100R12KT4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRGTI090U06

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Leistung - max

298W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 90A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.8nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

IRG5K100HH06E

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Leistung - max

405W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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