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MIXA40WB1200TED

MIXA40WB1200TED

Nur als Referenz

Teilenummer MIXA40WB1200TED
PNEDA Teilenummer MIXA40WB1200TED
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 40A
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $912,3896
50 ---------- $869,6214
100 ---------- $826,8531
200 ---------- $784,0848
400 ---------- $748,4446
500 ---------- $712,8044
Auf Lager 676
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MIXA40WB1200TED Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIXA40WB1200TED
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIXA40WB1200TED, MIXA40WB1200TED Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 239,38 KB)
PDFMIXA40WB1200TED Datenblatt Cover
MIXA40WB1200TED Datenblatt Seite 2 MIXA40WB1200TED Datenblatt Seite 3 MIXA40WB1200TED Datenblatt Seite 4 MIXA40WB1200TED Datenblatt Seite 5 MIXA40WB1200TED Datenblatt Seite 6 MIXA40WB1200TED Datenblatt Seite 7 MIXA40WB1200TED Datenblatt Seite 8

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MIXA40WB1200TED Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Leistung - max195W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2.1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE2
LieferantengerätepaketE2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Leistung - max

430W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

DDB2U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

3 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Leistung - max

83.5W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

880pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT50DA170T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FS820R08A6P2BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGL240TL120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

305A

Leistung - max

1000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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