APTGT75DA120D1G
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| Teilenummer | APTGT75DA120D1G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT75DA120D1G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 110A 357W D1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGT75DA120D1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT75DA120D1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
APTGT75DA120D1G, APTGT75DA120D1G Datenblatt
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APTGT75DA120D1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 110A |
| Leistung - max | 357W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 4mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5345nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D1 |
| Lieferantengerätepaket | D1 |
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