MII200-12A4
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| Teilenummer | MII200-12A4 |
| PNEDA Teilenummer | MII200-12A4 |
| Beschreibung | MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.660 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MII200-12A4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MII200-12A4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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MII200-12A4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 270A |
| Leistung - max | 1130W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Y3-DCB |
| Lieferantengerätepaket | Y3-DCB |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 183A Leistung - max 630W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
