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MG400Q2YS60A

MG400Q2YS60A

Nur als Referenz

Teilenummer MG400Q2YS60A
PNEDA Teilenummer MG400Q2YS60A
Beschreibung IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 400A
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 3.582
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MG400Q2YS60A Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMG400Q2YS60A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MG400Q2YS60A, MG400Q2YS60A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 314,78 KB)
PDFMG400Q2YS60A Datenblatt Cover
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MG400Q2YS60A Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
SerieIGBTMOD™
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)400A
Leistung - max3750W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce31nF @ 10V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-20°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750A

Leistung - max

2344W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

51.2nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

APTGT100H170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

181A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 160A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

38.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

56-PIM/Q2PACK (93x47)

APTGT150DA120D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14.7nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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