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NXH160T120L2Q2F2SG

NXH160T120L2Q2F2SG

Nur als Referenz

Teilenummer NXH160T120L2Q2F2SG
PNEDA Teilenummer NXH160T120L2Q2F2SG
Beschreibung PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Hersteller ON Semiconductor
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NXH160T120L2Q2F2SG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNXH160T120L2Q2F2SG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
NXH160T120L2Q2F2SG, NXH160T120L2Q2F2SG Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 223,54 KB)
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NXH160T120L2Q2F2SG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)181A
Leistung - max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 160A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce38.8nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
Lieferantengerätepaket56-PIM/Q2PACK (93x47)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

555W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

630nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GA300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

530A

Leistung - max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Dual INT-A-PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Leistung - max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

FP30R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

37A

Leistung - max

115W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT150A120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

Kürzlich verkauft

NC7WZ17P6

NC7WZ17P6

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

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