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MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

Nur als Referenz

Teilenummer MG1275S-BA1MM
PNEDA Teilenummer MG1275S-BA1MM
Beschreibung IGBT 1200V 105A 630W PKG S
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 2.100
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MG1275S-BA1MM Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMG1275S-BA1MM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MG1275S-BA1MM, MG1275S-BA1MM Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.860,8 KB)
PDFMG1275S-BA1MM Datenblatt Cover
MG1275S-BA1MM Datenblatt Seite 2 MG1275S-BA1MM Datenblatt Seite 3 MG1275S-BA1MM Datenblatt Seite 4 MG1275S-BA1MM Datenblatt Seite 5 MG1275S-BA1MM Datenblatt Seite 6

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MG1275S-BA1MM Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)105A
Leistung - max630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 75A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.52nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallS-3 Module
LieferantengerätepaketS3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

180W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GA100TS60SF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.28V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

16.25nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1500A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 1500A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E10

Lieferantengerätepaket

E10

VS-GB200TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

330A

Leistung - max

1316W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

16.9nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1390A

Leistung - max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

81pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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