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MCD200-18IO1

MCD200-18IO1

Nur als Referenz

Teilenummer MCD200-18IO1
PNEDA Teilenummer MCD200-18IO1
Beschreibung MOD THYRISTOR/DIODE 1800V Y4-M6
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MCD200-18IO1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCD200-18IO1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
MCD200-18IO1, MCD200-18IO1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 243,06 KB)
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MCD200-18IO1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturSeries Connection - SCR/Diode
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand1.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)216A
Current - On State (It (RMS)) (max.)340A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)8000A, 8600A
Current - Hold (Ih) (Max)150mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallY4-M6

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Serie

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Struktur

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Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

45A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

70A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

850A, 890A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

116A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

180A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

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2250A, 2400A

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

TZ425N18KOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

510A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

14500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

T730N40TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

4.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

730A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1840A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

300mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

17600A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 120°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1300A, 1360A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

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