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MB85RS1MTPW-G-APEWE1

MB85RS1MTPW-G-APEWE1

Nur als Referenz

Teilenummer MB85RS1MTPW-G-APEWE1
PNEDA Teilenummer MB85RS1MTPW-G-APEWE1
Beschreibung IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8WLP
Hersteller Fujitsu Electronics
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MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Ressourcen

Marke Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMB85RS1MTPW-G-APEWE1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MB85RS1MTPW-G-APEWE1, MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Datenblatt (Total Pages: 40, Größe: 1.695,91 KB)
PDFMB85RS1MTPH-G-JNE1 Datenblatt Cover
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MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Technische Daten

HerstellerFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-XFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket8-WLP (2.28x3.09)

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (256 x 4)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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