MB85R256FPF-G-BND-ERE1
Nur als Referenz
| Teilenummer | MB85R256FPF-G-BND-ERE1 |
| PNEDA Teilenummer | MB85R256FPF-G-BND-ERE1 |
| Beschreibung | IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP |
| Hersteller | Fujitsu Electronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Ressourcen
| Marke | Fujitsu Electronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MB85R256FPF-G-BND-ERE1 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MB85R256FPF-G-BND-ERE1, MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datenblatt
(Total Pages: 36, Größe: 1.697,98 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet
- where to find MB85R256FPF-G-BND-ERE1
- Fujitsu Electronics
- Fujitsu Electronics MB85R256FPF-G-BND-ERE1
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1 PDF Datasheet
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Stock
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Pinout
- Datasheet MB85R256FPF-G-BND-ERE1
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Supplier
- Fujitsu Electronics Distributor
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Price
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Distributor
MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Technische Daten
| Hersteller | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 150ns |
| Zugriffszeit | 150ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 28-SOP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.2V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-VFBGA Lieferantengerätepaket 48-VFBGA (8x9.5) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-S Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-LBGA Lieferantengerätepaket 64-FBGA (9x9) |
Hersteller Toshiba Memory America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND (SLC) Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (128 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
