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MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datenblatt

MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datenblatt
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Fujitsu Electronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: MB85R256FPF-G-BND-ERE1
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MB85R256FPF-G-BND-ERE1

Fujitsu Electronics

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

Hersteller

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOP