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M5060CC1200

M5060CC1200

Nur als Referenz

Teilenummer M5060CC1200
PNEDA Teilenummer M5060CC1200
Beschreibung DIODE MODULE 1.2KV 60A
Hersteller Sensata-Crydom
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Auf Lager 8.856
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M5060CC1200 Ressourcen

Marke Sensata-Crydom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM5060CC1200
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
M5060CC1200, M5060CC1200 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 523,2 KB)
PDFM5060TB800 Datenblatt Cover
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M5060CC1200 Technische Daten

HerstellerSensata-Crydom
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)60A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.35V @ 60A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700µA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

220A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 220A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Panasonic Electronic Components

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-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

800ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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Diodenkonfiguration

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 70V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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