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LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Nur als Referenz

Teilenummer LSIC1MO120E0080
PNEDA Teilenummer LSIC1MO120E0080
Beschreibung MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 3.852
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LSIC1MO120E0080 Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLSIC1MO120E0080
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
LSIC1MO120E0080, LSIC1MO120E0080 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 559,48 KB)
PDFLSIC1MO120E0080 Datenblatt Cover
LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 2 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 3 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 4 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 5 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 6 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 7 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 8 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 9 LSIC1MO120E0080 Datenblatt Seite 10

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LSIC1MO120E0080 Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 20V
Vgs (Max)+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1825pF @ 800V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)179W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMP3013SFV-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1674pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

940mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8 (Type UX)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SPB80N03S2L-04 G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

188W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI2303BDS-T1

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.49A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AOD516_050

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1229pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

3N163-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250Ohm @ 100µA, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-72

Paket / Fall

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