LSIC1MO120E0080 Datenblatt
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Littelfuse
Website: http://www.littelfuse.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
LSIC1MO120E0080
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Hersteller Littelfuse Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 39A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 20V Vgs (Max) +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1825pF @ 800V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 179W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
