KSD882YSTSTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | KSD882YSTSTU |
| PNEDA Teilenummer | KSD882YSTSTU |
| Beschreibung | TRANS NPN 30V 3A TO-126 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.120 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 4 - Apr 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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KSD882YSTSTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | KSD882YSTSTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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KSD882YSTSTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 90MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-225AA, TO-126-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-126-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 85 @ 150mA, 10V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
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