JANTX2N7224
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| Teilenummer | JANTX2N7224 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N7224 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 34A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 8 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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JANTX2N7224 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N7224 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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JANTX2N7224 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/592 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 81mOhm @ 34A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-254AA |
| Paket / Fall | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A (Ta), 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 905pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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