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FDMC86240

FDMC86240

Nur als Referenz

Teilenummer FDMC86240
PNEDA Teilenummer FDMC86240
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 16A POWER33
Hersteller ON Semiconductor
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FDMC86240 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMC86240
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDMC86240, FDMC86240 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 493,67 KB)
PDFFDMC86240 Datenblatt Cover
FDMC86240 Datenblatt Seite 2 FDMC86240 Datenblatt Seite 3 FDMC86240 Datenblatt Seite 4 FDMC86240 Datenblatt Seite 5 FDMC86240 Datenblatt Seite 6 FDMC86240 Datenblatt Seite 7 FDMC86240 Datenblatt Seite 8 FDMC86240 Datenblatt Seite 9

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FDMC86240 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A (Ta), 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds905pF @ 75V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.3W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Fall8-PowerWDFN

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SPI80N03S2L-03

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8180pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3-1

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FDPF12N35

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

350V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

31.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IRFBC40LPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPSA70R2K0CEAKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

163pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

TK18A50D(STA4,Q,M)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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