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JANTX1N5553

JANTX1N5553

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX1N5553
PNEDA Teilenummer JANTX1N5553
Beschreibung D MET 3A STD 800V HR
Hersteller Semtech
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Auf Lager 5.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTX1N5553 Ressourcen

Marke Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX1N5553
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JANTX1N5553 Technische Daten

HerstellerSemtech Corporation
Serie*
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

EU 2

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

IRD3CH5DB6

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.7V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

BAT42W-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

LL4148-7

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 50mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

8ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

SOD-80 MiniMELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SBR12U45LH1-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 12A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerDI™ 5SP

Lieferantengerätepaket

PowerDI5SP™

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Kürzlich verkauft

BCV62C,215

BCV62C,215

Nexperia

TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B

ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

MAX3087EESA+

MAX3087EESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

SMF6.0A

SMF6.0A

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Broadcom

SSR RELAY SPST-NO 1A 0-60V

NR6028T100M

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Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 1.9A 84.5 MOHM

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IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

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IC POWER SEQUENCER SOT23-6

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LED RED CLEAR CHIP SMD