JAN2N6250
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| Teilenummer | JAN2N6250 |
| PNEDA Teilenummer | JAN2N6250 |
| Beschreibung | TRANS NPN 275V 10A TO-3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.474 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JAN2N6250 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN2N6250 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JAN2N6250 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/510 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 275V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.25A, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 8 @ 10A, 3V |
| Leistung - max | 6W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3 (TO-204AA) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 800mA, 3V Leistung - max 26W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/392 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-46-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 400mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V Leistung - max 1.2W Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3 Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
