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JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Nur als Referenz

Teilenummer JAN1N5807URS
PNEDA Teilenummer JAN1N5807URS
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.394
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JAN1N5807URS Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN1N5807URS
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JAN1N5807URS Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/477
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If875mV @ 4A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.60pF @ 10V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, B
LieferantengerätepaketB, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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SET130112

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 9A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Solder

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CRS15I40A(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

S-FLAT (1.6x3.5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

R9S02430XX

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2400V

Current - Average Rectified (Io)

3935A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75mA @ 2400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200 Variation

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

RS1JL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAV116T-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

85V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 50mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SOD-523

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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