IXYX30N170CV1
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| Teilenummer | IXYX30N170CV1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYX30N170CV1 |
| Beschreibung | 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.988 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYX30N170CV1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYX30N170CV1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYX30N170CV1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 108A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 255A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 937W |
| Schaltenergie | 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/150ns |
| Testbedingung | 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 160ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 24A Leistung - max 150W Schaltenergie 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/450ns Testbedingung 480V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A Leistung - max 104W Schaltenergie 96µJ (on), 355µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/205ns Testbedingung 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 117A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 193A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 38A Leistung - max 500W Schaltenergie 1192µJ (on), 1088µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 162nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/131ns Testbedingung 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
