IXYQ40N65C3D1
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| Teilenummer | IXYQ40N65C3D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYQ40N65C3D1 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.352 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYQ40N65C3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYQ40N65C3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYQ40N65C3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX3™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 830µJ (on), 650µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 66nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/110ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 5A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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