APT44GA60B
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| Teilenummer | APT44GA60B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT44GA60B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 1.083 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT44GA60B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT44GA60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT44GA60B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 78A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 130A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 26A |
| Leistung - max | 337W |
| Schaltenergie | 409µJ (on), 258µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 128nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/84ns |
| Testbedingung | 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A Leistung - max 80W Schaltenergie 600µJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 700ns/1.2µs Testbedingung 480V, 10A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
