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IXXX300N60B3

IXXX300N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXXX300N60B3
PNEDA Teilenummer IXXX300N60B3
Beschreibung IGBT 600V 550A 2300W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.084
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXX300N60B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXX300N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXX300N60B3, IXXX300N60B3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 222,21 KB)
PDFIXXK300N60B3 Datenblatt Cover
IXXK300N60B3 Datenblatt Seite 2 IXXK300N60B3 Datenblatt Seite 3 IXXK300N60B3 Datenblatt Seite 4 IXXK300N60B3 Datenblatt Seite 5 IXXK300N60B3 Datenblatt Seite 6

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IXXX300N60B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)550A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)1140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 100A
Leistung - max2300W
Schaltenergie3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge460nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/190ns
Testbedingung400V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

670µJ (on), 740µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

IRG7CH81K10EF-R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 150A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

745nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/330ns

Testbedingung

600V, 150A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IXGA12N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/150ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

HGTP7N60C3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

165µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

RJH60A85RDPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

113W

Schaltenergie

430µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

56nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/86ns

Testbedingung

300V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

Kürzlich verkauft

NC7SZ00P5X

NC7SZ00P5X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 1CH 2-INP SC70-5

AD8062ARZ

AD8062ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

MCP79410T-I/MS

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Microchip Technology

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-MSOP

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

BNX022-01L

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Murata

FILTER LC 1UF SMD

ADF4351BCPZ

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Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP

TAJA106K016RNJ

TAJA106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1206

MBT3904DW1T1G

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ON Semiconductor

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

MPZ1608S221ATA00

MPZ1608S221ATA00

TDK

FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

MCP6004-I/SL

MCP6004-I/SL

Microchip Technology

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

MC14066BDR2G

MC14066BDR2G

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC