IXXH75N60C3D1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXXH75N60C3D1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXXH75N60C3D1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 150A 750W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.060 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXXH75N60C3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXH75N60C3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXH75N60C3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 750W |
| Schaltenergie | 1.6mJ (on), 800µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 107nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max 80W Schaltenergie 85µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/75ns Testbedingung 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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