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IXXH75N60B3D1

IXXH75N60B3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXH75N60B3D1
PNEDA Teilenummer IXXH75N60B3D1
Beschreibung IGBT 600V 160A 750W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXH75N60B3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXH75N60B3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXXH75N60B3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 60A
Leistung - max750W
Schaltenergie1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge107nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/118ns
Testbedingung400V, 60A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXXH)

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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160A

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Leistung - max

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Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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IKY40N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/280ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

219W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

385µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

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Betriebstemperatur

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