IXTT110N10L2
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Teilenummer | IXTT110N10L2 |
PNEDA Teilenummer | IXTT110N10L2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.002 |
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IXTT110N10L2 Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTT110N10L2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXTT110N10L2 Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | Linear L2™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 600W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-268 |
Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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