FCPF165N65S3L1
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| Teilenummer | FCPF165N65S3L1 |
| PNEDA Teilenummer | FCPF165N65S3L1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.472 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FCPF165N65S3L1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FCPF165N65S3L1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FCPF165N65S3L1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | SuperFET® III |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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