FCPF165N65S3L1 Datenblatt
FCPF165N65S3L1 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FCPF165N65S3L1
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Hersteller ON Semiconductor Serie SuperFET® III FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 35W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F-3 Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
