IXTP230N04T4
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| Teilenummer | IXTP230N04T4 |
| PNEDA Teilenummer | IXTP230N04T4 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.950 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXTP230N04T4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTP230N04T4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTP230N04T4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | TrenchT4™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 230A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 115A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 340W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.3A (Ta), 53A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1954pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 920mW (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 7A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 95W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
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