IXGX50N60B2D1
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| Teilenummer | IXGX50N60B2D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGX50N60B2D1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 400W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 18 - Mär 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXGX50N60B2D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGX50N60B2D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGX50N60B2D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 400W |
| Schaltenergie | 550µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/190ns |
| Testbedingung | 480V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A Leistung - max 500W Schaltenergie 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/160ns Testbedingung 400V, 50A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.88V @ 15V, 30A Leistung - max 30W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40.3nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11.2ns/40.8ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/70ns Testbedingung 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 260µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/55ns Testbedingung 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 543W Schaltenergie 385µJ (on), 352µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/64ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket D3 [S] |
