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IXGT50N90B2

IXGT50N90B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT50N90B2
PNEDA Teilenummer IXGT50N90B2
Beschreibung IGBT 900V 75A 400W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.452
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGT50N90B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT50N90B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT50N90B2, IXGT50N90B2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 162,41 KB)
PDFIXGT50N90B2 Datenblatt Cover
IXGT50N90B2 Datenblatt Seite 2 IXGT50N90B2 Datenblatt Seite 3 IXGT50N90B2 Datenblatt Seite 4 IXGT50N90B2 Datenblatt Seite 5

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IXGT50N90B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 50A
Leistung - max400W
Schaltenergie4.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge135nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/350ns
Testbedingung720V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Serie

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

57.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 11.5A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

230µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/117ns

Testbedingung

400V, 11.5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

69ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

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IRG4PC50SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.36V @ 15V, 41A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

720µJ (on), 8.27mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/650ns

Testbedingung

480V, 41A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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STGPL6NC60DI

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

32µJ (on), 24µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

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IRG4PC50KPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

490µJ (on), 680µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/160ns

Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

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Gate Charge

15.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

133ns

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