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IXGT30N60C2D1

IXGT30N60C2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT30N60C2D1
PNEDA Teilenummer IXGT30N60C2D1
Beschreibung IGBT 600V 70A 190W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.514
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT30N60C2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT30N60C2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT30N60C2D1, IXGT30N60C2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 164,24 KB)
PDFIXGT30N60C2D1 Datenblatt Cover
IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 2 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 3 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 4 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 5 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGT30N60C2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 24A
Leistung - max190W
Schaltenergie190µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/70ns
Testbedingung400V, 24A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26.9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.2V @ 4V, 6A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5.3µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/180ns

Testbedingung

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/33ns

Testbedingung

600V, 15A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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-

Betriebstemperatur

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