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IXGR40N60C2

IXGR40N60C2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR40N60C2
PNEDA Teilenummer IXGR40N60C2
Beschreibung IGBT 600V 56A 170W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.052
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGR40N60C2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR40N60C2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR40N60C2, IXGR40N60C2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 177,89 KB)
PDFIXGR40N60C2D1 Datenblatt Cover
IXGR40N60C2D1 Datenblatt Seite 2 IXGR40N60C2D1 Datenblatt Seite 3 IXGR40N60C2D1 Datenblatt Seite 4 IXGR40N60C2D1 Datenblatt Seite 5 IXGR40N60C2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGR40N60C2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)56A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Leistung - max170W
Schaltenergie200µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge95nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/90ns
Testbedingung400V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

630A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

183nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/156ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

AOK40B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

312.5W

Schaltenergie

1.72mJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/77ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

138ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGFL6NC60D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

22W

Schaltenergie

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

STGB7NB40LZT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 14A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/4.4µs

Testbedingung

300V, 46Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGP10NB37LZ

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.3µs/8µs

Testbedingung

328V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

HLMP-P505

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Broadcom

LED GREEN CLEAR AXIAL T/H AXIAL

MURS160T3G

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

USB3320C-EZK-TR

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Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 32QFN

TAJB475K016RNJ

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CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1411

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Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

BTB06-600SWRG

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STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

LTC2495IUHF#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC ADC 16BIT SIGMA-DELTA 38QFN

ADV7341BSTZ

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Analog Devices

IC ENCODER VIDEO HDTV 64LQFP

LT1464CS8#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

SMBJ36CA-13-F

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

MAX15021ATI+T

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Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJ 2A/4A DL 28TQFN