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IXGR40N60B2D1

IXGR40N60B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR40N60B2D1
PNEDA Teilenummer IXGR40N60B2D1
Beschreibung IGBT 600V 60A 167W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.318
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGR40N60B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR40N60B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR40N60B2D1, IXGR40N60B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 496,63 KB)
PDFIXGR40N60B2D1 Datenblatt Cover
IXGR40N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGR40N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGR40N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGR40N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGR40N60B2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGR40N60B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
Leistung - max167W
Schaltenergie400µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/130ns
Testbedingung400V, 30A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

300µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/160ns

Testbedingung

600V, 5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGW25S120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

830µJ (on), 2.37mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/147ns

Testbedingung

600V, 25A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

265ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGPF7N60LSDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

270µJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

120ns/410ns

Testbedingung

300V, 7A, 470Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220F

APT30GS60BRDLG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

113A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

570µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/360ns

Testbedingung

400V, 30A, 9.1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

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75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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200ns

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