IXEH25N120D1
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| Teilenummer | IXEH25N120D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXEH25N120D1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 36A 200W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.120 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXEH25N120D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXEH25N120D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXEH25N120D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 36A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 4.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 600V, 20A, 68Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 130ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 93A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 195A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A Leistung - max 415W Schaltenergie 755µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 235nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/225ns Testbedingung 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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