IXGQ96N30TCD1
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| Teilenummer | IXGQ96N30TCD1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGQ96N30TCD1 |
| Beschreibung | IGBT 320V 96A TO3P |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGQ96N30TCD1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGQ96N30TCD1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXGQ96N30TCD1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 320V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 96A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Leistung - max 45W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 74nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/90ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 468W Schaltenergie 1mJ (on), 1.32mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 158nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/152ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 70A Leistung - max 695W Schaltenergie 2mJ (on), 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/90ns Testbedingung 360V, 70A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.35µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 15A Leistung - max 113W Schaltenergie 430µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 56nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/86ns Testbedingung 300V, 15A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 160ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
