IXGP7N60BD1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXGP7N60BD1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGP7N60BD1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 80W TO220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGP7N60BD1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGP7N60BD1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGP7N60BD1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 56A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 80W |
| Schaltenergie | 300µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 25nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 10ns/100ns |
| Testbedingung | 480V, 7A, 18Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max 75W Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/36ns Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 180µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 262ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 95A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Leistung - max 276W Schaltenergie 1.17mJ (on), 940µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 104nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/142ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 102ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 395V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 37.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 5V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 28.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/15µs Testbedingung 300V, 10A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) |
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